产品名称：非易失性存储器控制芯片

产品概述：

GC1210A非易失性存储器控制芯片是用CMOS工艺制作的，用来解决从CMOS RAM到NVRAM转换过程中出现的问题。对引入的电源的超出容许量的情况进入监测。当检测到上述情况时，芯片的作用就是不动声色地完成写保护和将电源转换到RAM的不间断电源。专用电路使用低漏极CMOS工艺，可制造出功耗极低且电压检测精确的芯片。DIP8的封装形式满足PC主板的最小化趋势。将GC1210A非易失性存储器控制芯片、CMOS存储器和电池连接在一起，就构成了NVRAM系统。

主要特点：

◆ 将CMOS RAM直接转化为NVRAM

◆ 无需调节的写入保护（当VCC超出范围 ）

◆ 电源掉电后，自动接通电池供电

◆ 电池模式供电时，使功耗小于100nA

◆ 连接电源后，测试电池状态

◆ 提供后备电池

◆ 可选5％或10％电源掉电检测

◆ 低前置电源下降至VCC开关

◆ 封装形式为DIP8和SOIC-16

◆ 可选工业温度范围：-40～85℃